图3表示同种材料同种类型，功能完好且连接状态良好的红色LED i个不同样品的检测结果随激励光强度变化的情况。三个样品是从引线支架连接在一起的20个LED巾随机抽取的。为了便于观察，检测的电压信号幅值已换算成光激励pn结时产生的光生电流I_L。

　　由图3可知。三个样品在相同的光照下产生的光生电流是很接近的，并且光生电流I_L与光照强度P₀成正比，几个样品之间的固定误差可能是因为光照位置的微小偏差造成的。当激励光功率为2 mW时，产生的光生电流大约为96μA，这比理论计算值小5μA，这是因为理论计算时未考虑LED串联电阻的影响，凶此可以认为实验与2.1节中理论分析结果第2)条和第3)是符合的。

　　在图l所示的等效电路中，R_s2也与负载R_L是串联的，由于电极的电阻以及电极和结之间的接触电阻R_s2很难直接测量，因此实验中通过串联不同的负载电阻R_L，来模拟接触电阻R_s对检测结果造成的影响。在激励光功率为2 mw时(此时产生的光生电流I_L约为96μA)，得到图3中样品1l流过负载的电流I与负载电阻R_L的变化关系。如图4所示。

　　由图4可知，随着外加负载R_L的增大，流过负载的电流越来越小，尤其从图4(b)可以看出，当外加负载为0时，负载电流为96μA，而当负载电阻变化到0.4Ω，负载电流下降到7lμA，下降率达26％，由于串联电阻R_s的值无法准确估计，因此实验结果与2.2结中理论计算的值有差异。实验与理论都表明，接触电阻R_s的微小变化会使支架上流过的电流I产生很大的改变。对于功能完好的LED芯片，通过测肇支架上流过的光生电流I可以计算得到I,ED的串联电阻R_s,若串联电阻值无穷大，则芯片与电极之间可能出现了脱胶、漏焊或者焊丝断裂问题，若串联电阻与正常连接状态下的串联电阻有大的差异，则芯片与电极之间可能出现其它的焊接问题，如虚焊，重复焊接等。因此，通过分析支架上流过的光生电流值，可以检测LED封装过程中芯片与引线支架之间的电气连接状态。