半导体照明被誉为第三代照明技术并在世界范围内引起广泛的关注，其核心技术和竞争领域主要是在整个产业链的上游，即外延和芯片。近年来，半导体照明功率型LED芯片技术的研究和开发得到长足的发展，半导体照明也将在未来几年内得到广泛的应用。在所有可实现半导体照明的相关材料中，氮化镓（GaN）基材料是最重要的，也是最有希望真正意义上实现半导体照明的材料。GaN基发光二极管（Light-Emitting Diode, LED）材料与器件是当前研究开发和商业化的重点与热点。

　　国外半导体照明芯片技术的发展现状

　　目前，Cree、Nichia、Lumileds、Osram等少数几家国外公司是国际上主流的照明级LED芯片及器件制造商，他们具有各自独特的外延和芯片技术路线，各家所生产的芯片产品封装白光器件的发光效率普遍超过100lm/W（见表1）。下面简要地介绍当前各家公司的工艺技术路线和产品现状。

　　美国Cree公司是目前世界上采用SiC作为衬底材料制造蓝光发光二极管用外延片和芯片的专业公司之一，其在不断改善外延品质及提高内量子效率的同时，采用了薄膜（Thin-film）芯片技术大幅度提升产品亮度，薄膜芯片技术即利用衬底转移技术将发光层倒装在Si衬底上，薄膜芯片技术可以有效地解决芯片的散热问题和提高取光效率。Cree公司的功率LED芯片产品EZ系列采用薄膜芯片技术已经达到业界领先的光效水平，据2009年底的报道显示，Cree冷白光LED器件研发水平已经达到186lm/W，这是功率型白光LED有报道以来的最好成绩。

　　日本Nichia公司是世界上最早的半导体白光生产厂商，技术水平始终处于国际领先的地位。在蓝光芯片的技术路线上，Nichia采用图形化蓝宝石衬底外延生长技术结合ITO透明导电层芯片工艺，产品性能表现优越，特别是小功率芯片，最新的报道甚至达到245lm/W的性能指标。Nichia的功率型芯片也是基于正装结构，2008年Nichia公司宣布其功率LED产品光效达到 145lm/W，芯片规格为1mm×1mm。