芯片核心技术的发展趋势

　　从国内外半导体照明功率型LED芯片技术的发展现状来看，薄膜结构芯片凭借其一系列优越性将会是未来照明级LED芯片技术发展的必然趋势，照明级LED芯片结构的发展将经历一个“正装结构→倒装结构→薄膜结构”的技术演变。表2列举了薄膜结构芯片与传统结构芯片的特点比较，从表中可以看出薄膜结构芯片在发光效率、散热性和可集成性等方面有着传统芯片所不能比拟的优越性，这也是国际大厂争相布局和研发的初衷。如图3所示为Lumileds、Cree和Osram三家国际大厂所推出的全新薄膜结构产品，其中Cree的EZBright系列的封装白光器件可以达到186lm/W的发光效率，为目前世界范围内有报道的最佳水平。

　　当然，半导体照明LED芯片技术是一个涉及理论设计、外延和芯片工艺的系统化技术，除了薄膜芯片技术之外，当前世界范围内针对照明级LED芯片技术的开发，主要可以归结为以下一些技术路线：

　　1） 非极性衬底、半极性衬底的外延材料生长；

　　2） 量子点、量子线有源层设计和外延生长；

　　3） 光子晶体、准光子晶体应用于芯片取光技术；

　　4） 交流电发光二极管（AC-LED）。