GaN基LED外延材料缺陷对其器件可靠性的影响
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上传人：蔡伟智 上传时间： 2013-03-25 浏览次数： 50 |
| 作者 | 蔡伟智 |
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| 单位 | 厦门三安光电科技有限公司 |
| 分类号 | TN312.8 |
| 发表刊物 | 《半导体技术》 |
| 发布时间 | 2009年 |
摘要：采用X光双晶衍射仪分析了GaN基发光二极管外延材料晶体结构质量并制成GaN-LED芯片,对分组抽取特定区域芯片封装成的GaN-LED器件进行可靠性试验。对比分析表明,外延晶片中的微缺陷与器件可靠性的关系密切;减少外延晶片中的微缺陷密度有利于提高LED器件的可靠性。通过建立从外延片晶体结构质量、芯片光电参数分布到器件可靠性的分析实验方法,为GaN-LED外延材料生长工艺的优化和改善提供依据,达到预测和提高器件可靠性的目的。
0引言GaNLED自1995年日本中村先生成功研制以来,近几年其技术以惊人的速度迅猛发展。在可靠性方面,虽然在上、中、下游研发和生产等各个环节中备受重视,但是外延材料对器件可靠性和性能的影响研究,受上游至下游产业学科跨度大的限制,分析实验难度较高;与其他半导体器件一样的
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