GaN LED量子阱光发射模型
|
上传人：邹晓,徐静平,陈卫兵 上传时间： 2011-09-16 浏览次数： 149 |
| 作者 | 邹晓,徐静平,陈卫兵 |
|---|---|
| 单位 | 华中科技大学电子科学与技术系 |
| 分类号 | TN312.8 |
| 发表刊物 | 华中科技大学学报(自然科学版) |
| 发布时间 | 2005年11期 |
Ⅲ-V族化合物InN,GaN,AlN及其三元合金得到广泛应用,其中发光二极管(LED)是重要的应用领域.GaN LED一般采用InGaN作为有源层的量子阱结构,其发光机制归于被局限在阱内的电子和空穴复合产生光子[1~3].但目前有关InGaN/GaN量子阱发光的模型未见报道.本文从电流注入、载流子俘获……
最新评论
用户名： 密码：
