图１

　　而且，佛吉尼亚大学还发现，对于电流在P-GaN里横向流动，即，横向结构的LED芯片，电流拥塞会造成额外的量子效率下降。

(B) 芯片层面（详见“中国半导体照明产业发展年鉴（2008））：必须满足下面条件：有效的向LED芯片引入大电流的方法，电流分布均匀，没有电流拥塞，芯片的散热性能优良。

　　3维垂直结构LED芯片比较容易满足上述的条件，一款3维垂直结构LED芯片的电极如下图所示：

　　在上图中，有4个条形电极，因此，有4个电流引入点，即，电流从N金属分别通过4个电流引入点流入4个条形电极，并进而流入LED薄膜，从每一个电流引入点引入的电流等于总电流的1/4。因此，在电流引入点附近的电流密度较小，不容易在电流引入点的附近产生电流拥塞。对于更大的电流，可以采用多个条形电极，而不会有太多的挡光。

　　3维垂直结构的LED芯片在把大电流引入芯片方面具有优势。

（C）封装层面：必须把大电流产生的热量有效的散掉。

　　总之，为了尽快的推进LED照明的进程，并满足LED照明对LED芯片的需求，一方面要考虑到芯片设备厂和原材料厂的扩产的速度，另一方面要用尽量少的投资增加LED芯片的产能，采用大电流驱动的芯片能更好的满足这两方面的需求，而3维垂直结构的LED芯片更适合大电流驱动！