采用光生伏特效应的LED芯片在检测方法上的研究(上)

上传人：李恋，李平

上传时间： 2009-12-16

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式中：d是pn结的厚度，α为半导体材料的吸收系数，与材料本身、掺杂浓度以及激励光的波长有关，P(x)是在pn结内位置算处(假定pn结表面坐标位置为0)的激励光强度^[13]，表示为：

式中：P₀是在pn结表面的激励光强度。

　　根据爱因斯坦关系式，电子和空穴的扩散长度L_n和L_p可表示为

式中：K_B为玻尔兹曼常数，T为开氏温度，μ_n、μ_p分别为电子、空穴迁移率，与材料本身、掺杂浓度以及温度有关，

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