三菱化学试制出了尺寸约为长20mm×宽12mm的大尺寸m面GaN底板，并在于美国拉斯维加斯举行的“ICNS-7”(2007年9月16～21日)上发表(演讲序号：I1)。原产品尺寸约为长20mm×宽5mm，此次主要是加大了短的一边。m面为非极性面，利用此次的底板可在GaN结晶的非极性面上制作出LED及半导体激光器等发光元件。该公司以前开发的m面底板被用于罗姆与东北大学的研究小组、以及美国加州大学圣巴巴拉分校(UCSB)的教授中村修二的研究小组等制作的GaN元件。

　　非极性面是与GaN结晶c面的极性面相互垂直的面。蓝色LED及蓝紫色半导体激光器等发光元件、面向无线基站的功率放大器电路、产业设备等的电源电路的晶体管等利用GaN系半导体的元件(GaN元件)一般都是在c面上制作而成的。利用非极性面，理论上将会提高GaN元件的性能。例如发光元件，可以提高发光效率。目前，在c面已经可以产品化2英尺的GaN底板，但m面底板还没有这种尺寸的, 所以希望实现m面GaN底板的大型化。

　　首先从c面生长开始

　　三菱化学试制的m面底板首先在c面的垂直方向(c轴方向)通过HVPE法使GaN结晶生长，之后，按照与c面垂直方向切下GaN底板形成m面GaN底板。c面的垂直方向就成为m面底板的短边方向。利用该手法加长m面底板的短边需要增加c面底板的厚度。此前c面底板的厚度约为5mm。此次的试制品加厚至12mm。

　　另一方面，m面底板的长边方向取决于c面底板的尺寸。此次利用的c面GaN底板的直径为2英尺，长边最长可达约50mm。但是，为防止底板曲翘及考虑到用户的需求，将其缩短至约20mm。长边的长度可在一定程度上任意改变。