高价格GaN衬底实现高性能
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上传人：Tom 上传时间： 2004-07-14 浏览次数： 112 |
据Strategies Unlimited调查，2003年GaN的市场价值为13.5亿美元，2007年估计为45亿美元，其中GaN基LEDs为40亿美元;Laser市场约占4亿美元;其它电子器件为1.29亿美元。
和GaAs等材料不同，GaN材料通常是生长在异质衬底，例如蓝宝石(Al2O3) 和 SiC上面的，这样不仅造成成本的增加，并且在异质衬底上由于晶格，热膨胀系数的差异使晶体产生高密度缺陷，导致器件性能变差。而传统的体材料生长方法，例如Czochralski 和Bridgeman技术都不适用于GaN生长。
目前，Cree、Kyma、TopGaN和Sumitomo Electric等少数公司利用气相外延的方法生长GaN衬底。但是Wafer尺寸小，而且价格昂贵，看起来目前LEDs等器件工艺还是在蓝宝石上进行。
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