Osram的红光LED达到100 lm/W
|
上传人：未知 上传时间： 2004-05-17 浏览次数： 146 |
这种第三代AlInGaP薄膜器件制作在4英寸外延片上，用特殊的六角棱形刻蚀刻进外延层结构。产品在4月份拉斯维加斯召开的国际灯饰会议上展示，展示的器件中有一种经改进的白光Golden Dragon型LED，据称这种新型LED亮度高于以前产品的25%，发40 lm的光，并具有500mA的最大工作电流。采用 AlInGaP和InGaN芯片作无铅表面粘贴封装，这种器件应用目标是汽车和通用照明，它发射23 lm/W的光。
最新评论
用户名： 密码：
