为什么叫IGZO?

　　IGZO是由四个单词：铟(Indium)、镓(Gallium)、锌(Zinc)、氧(Oxygen)的首字母凑在一起而成，也可以称之为铟镓锌氧化物。因此我们知道，IGZO是一种材料。非晶IGZO材料是用于新一代薄膜晶体管技术中的沟道层材料。IGZO材料由日本东京工业大学细野秀雄最先提出在TFT行业中应用，目前该材料及技术专利主要由日本厂商拥有，IGZO-TFT技术最先在日本夏普公司实现量产。

图1：IGZO金属氧化物层

　　大家也都应该知道，TFT一般是由非晶硅薄膜晶体管制成，随着显示器尺寸的不断增大，非晶硅薄膜晶体管电子迁移率不足、均一性差、占用像素面积、导致透光率降低的缺陷逐渐显现了出来。因此夏普在研究中将焦点投向了氧化物半导体材料上，其解决方案就是用由铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)三种金属元素组成的IGZO，来取代由非晶硅薄膜晶体管制成的传统TFT。

　　这种IGZO解决了传统TFT的缺陷：晶体尺寸更小，可以使设备更轻薄;全透明，对可见光不敏感，能够大大增加元件的开口率，提高亮度，降低功耗。此外，电子迁移率方面，IGZO大约为10cm2/Vs，临界电压飘移几乎一致，比传统材料提升了20~50倍，进步非常明显。因此在面板的主要性能参数上，IGZO面板比传统TFT面板有了全面的提升。不过IGZO对液晶面板的NTSC色域、可视角度、显示色彩数量没有太多影响，这是由光源以及液晶分子排列特性决定的。

　　所以我们所说的IGZO面板只是一种新型薄膜晶体管的TFT-LCD面板。他既不是一种新的显示技术，也与液晶分子排列1方式没有什么关系(与IPS、MVA等不是一个概念范畴)。

　　IGZO首次被发现

　　全球最早发现IGZO具有可在均一性极佳的非结晶状态下实现不逊于结晶状态的电子迁移率特性的是日本东京工业大学前沿技术研究中心&应用陶瓷研究所教授细野秀雄。

　　细野秀雄教授在一次专业研讨会上介绍了IGZO发现的过程："我自1993年起开始研究透明氧化物半导体材料。最初研究的是结晶材料。同时，我对非结晶材料也怀有强烈兴趣。当时业界普遍认为，包括硅在内，“非结晶材料的电子迁移率比结晶材料要低3～4个数量级”。我觉得这种看法不对。我认为以硅为代表的共价键合性物虽然有这样的性质，但像素氧化物那样的离子结合性物质应该与此不同"。

　　但问题是，离子结合性的物质很难形成非结晶状态。“不过，我发现如果从气相材料开始制作的话，就比较容易形成非结晶状态。最初，只发现了1种令人感兴趣的材料。通过描绘这种材料的电子轨道，我发现很可能有大量的非结晶的透明氧化物”。