Si衬底GaN基蓝光LED老化性能
上传人:肖友鹏,莫春兰,邱冲,江风益 上传时间: 2011-10-25 浏览次数: 235 |
作者 | 肖友鹏,莫春兰,邱冲,江风益 |
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单位 | 南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心,晶能光电(江西)有限公司 |
分类号 | O482.31 |
发表刊物 | 发光学报 |
发布时间 | 2010年03期 |
引言
近几年来,InGaN/GaN发光二极管(LEDs)的研发与生产取得了飞速发展。文献中已经报道了蓝光LEDs的光功率达到643mW(440nm/3.24V/350mA/WPE:57%),白光的光通量达到155lm(350mA/3.24V/136lm/W/5000K)[1]。这表明,GaN基蓝光LEDs已经具备了进入通用照明所需的发光效率[2]。但是……
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