图2：四线测量方法能减少引脚电阻导致的误差。

　　结点温度测试方法

　　在这个测试方法中，待测器件(DUT)[device under test]被放置在温度试验箱内并与驱动设备和测量设备相连。驱动设备可能是可编程电流源和伏特计，但其它仪器可以同时提供电流和测量电压，这些仪器通常被称为源测量单元(SMU)，它们可大大简化测量仪器(图1)。 接下来，采用四线测量方法或者Kelvin测量方法将SMU与器件相连接。通过感应DUT周围而不是SMU输入端的电压，四线电压测量能降低电压测量中由引线电阻导致的误差。图2是四线测量的详细连接图。将DUT放置在环境试验箱内，并将该试验箱设定到初始温度。初始点通常在25°C下测量，然后让DUT达到热平衡。可通过实验来确定达到热平衡所需的停靠时间(dwell time)，但对于大多数封装来说，10分钟应该足够。

　　一旦结点达到热平衡，就提供DUT一个持续时间短的电流，并测量压降。电流脉冲的持续时间和振幅非常重要，功率较大(电流过大或者脉冲过长)可能会使结点发热，从而使结果产生偏差。

　　许多情况下，待测结点的为硅或者复合二极管。对于这些类型的器件，以几 毫安的驱动电流和1ms的源电流为试验起点比较好。如果还不太确定，则利用具有极短脉冲(小于1ms)的源，用试验的方法确定结点的自发热。然后改变脉冲宽度并比较每个脉冲持续时间的电压进行试验。1mV至2mV的电压差通常表示结点温度有1°C的变化，这个测量电压是TJ1 (25°C )温度下的VF1。然后温度升高到一个更高的值(例如50°C)，让DUT达到热平衡，并再次给予电流脉冲。这个温度下的电压被标为TJ2温度(此例中为50°C )下的VF2。

　　采用多个不同的值重复这些步骤，然后绘制电压与结点温度的关系图(图3)。

图3：结点温度与正向压降的线性关系。