台积电推出LED驱动器及CMOS逻辑电路可集成于1枚芯片的BCD工艺
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上传人：未知 上传时间： 2009-12-21 浏览次数： 138 |
可用于液晶背照灯、普通照明及车载照明等使用的12～60V驱动的LED。用于芯片工作验证的“共乘服务”（Shuttle Service）采用0.25μm～0.18μm工艺，量产时则可采用0.6μm～0.18μm工艺。
利用台积电此次提供的工艺，除了LED驱动用DMOS之外，还可在CMOS逻辑电路上混载双极晶体管、电容器及二极管等被动部件。与原来的LED驱动模块相比，可减少部件数量，缩小安装面积。
DMOS部由于导通电阻较低，电流驱动力较高，因此易于提高LED驱动时的电力效率。CMOS逻辑部除了可配备5V电压驱动的模拟PWM（脉冲宽度调节）控制器之外，还能集成2.5V及1.8V驱动的逻辑内核电路。此外，还可混载OTP（one-time programmable）内存及MTP（multi-time programmable）内存。
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