TDI用HVPE法制造出高品质InGaN
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上传人：未知 上传时间： 2007-09-03 浏览次数： 50 |
在8月22日-24日举行的第四届中国(上海)国际半导体照明论坛及展览会上，TDI公司展示了其成果。尽管作为原理认证结构，展出的LED现在只工作在µW功率级，但可发出450-490nm的蓝光， 发出的绿光波长则在490-510nm之间。TDI断言在材料品质与HVPE潜在经济性结合基础上取得的进步将产生出非常有吸引力的产品。
TDI高级生长专家Alexander Syrkin称如果大规模、长期运转，HVPE将证明其是一个更经济的方法。利用其他方法(如MOCVD)生长厚膜基础层是不现实的，因为你需要花10-20小时才能生长出10-20微米的厚膜，而使用HVPE则只需10分钟。Syrkin告诉compoundsemiconductor.net，TDI正在努力将最近的成果转化为商品，尽管目前还未决定可能采取的步骤，至少TDI将继续基于其LED技术开发材料。在制备黄光及可能的红光LED以前，TDI正在增加InGaN在LED结构中的比例。
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