项目名称：

　　汽车灯灯珠GD

　　申报单位：

　　江西省晶瑞光电有限公司

　　综合介绍或申报理由：

　　GD是目前最细的照明级LED，封装尺寸1.6 x 1.6 x 1.0mm。最大输出功率2W。采用晶能最新开发35mil硅垂直结构LED芯片进行封装，提高产品可靠性,小尺寸光源可使照明设计更加灵活。

　　主要技术参数：

　　产品特点：1. 硅垂直结构芯片，散热性能好，拥有自主知识产权；

　　2. 单面发光，光形好，适合于指向性照明；

　　3. 最大驱动电流700mA；

　　4. 视角发光角度：115°；

　　5. 可实现高流明密度；

　　6. 小尺寸，照明设计更灵活；

　　7. 支持SMT贴片.

　　驱动功率1~2W；

　　色温6000~6500K；

　　发光角度115°；

　　700ma电流下可达160lm

　　应用范围：汽车灯模组、平板灯，室内照明

　　与国内外同类产品或同类技术的比较情况：

　　1、电流分布更均匀，可用大电流驱动。
　　2、硅衬底比蓝宝石衬底散热好。
　　3、具有朗伯发光形貌，白光出光均匀，容易二次配光。

　　4、打线少，可靠性高。

　　5、硅基LED芯片单面出光，且分布均匀，适合于指向性照明，如汽车灯

　　经济评价分析：

　　使用1616小尺寸封装，小尺寸大功率，实现高流明密度，单位价格上光通量优势明显。

　　技术及工艺创新要点：

　　1.结合陶瓷基板封装，提升产品散热性能；

　　2.1616小尺寸设计，使光学设计更加灵活；

　　3.晶能光电新一代硅衬底GaN基LED芯片除了采用了传统垂直结构芯片的技术之外，还有一个关键技术及创新点即通孔Via，通孔可以使N型金属嵌入LED芯片内部。因此量子阱发光区（MQW）向芯片外部的发光不会再受到N电极的阻挡，这样就可以提高芯片对光的提取效率。

　　传统的垂直结构芯片中N型金属设计为一些电极线（格栅），电流通过电极线往N-GaN的表面传输，这样一定会造成越靠近电极线附近的区域其电流密度越大，造成电流拥堵，从而降低发光效率（Droop效应）。而新一代硅衬底GaN基大功率LED芯片的N型金属通过通孔Via与N-GaN进行接触，所有通孔Via中的N型金属都连接于芯片的基板。由于通孔均匀地分布在芯片内部，这样电流也就均一地分布在N-GaN之中。由于消除了电流拥堵现象，因此可以缓解Droop效应，提高光效。

　　实际运用案例和用户评价意见：

?

　　获奖、专利情况：

　　申报单位介绍：

　　江西省晶瑞光电有限公司是由留美半导体照明技术专家陈振博士率领团队创立，专注大功率LED封装的高新技术企业。公司拥有国际领先的大功率LED陶瓷共晶封装技术，运用高效率的陶瓷共晶、静电喷涂和精密设计的光学lens等技术，解决了热电传导、荧光粉涂覆和二次配光等难点，实现了大功率LED芯片的高光效封装。公司创新开发的全系列产品，采用了全球领先的硅基垂直结构LED芯片和倒装LED芯片，结合公司先进的封装技术，严格执行欧美国家老化测试标准，具有高亮度、高可靠性、低热阻、耐大电流等优点，适用于路灯、隧道灯、汽车前大灯以及手机闪光灯等高端照明。

　　产品图片：