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硅衬底GaN基大功率LED芯片荣获 “阿拉丁神灯奖”

2014-06-20 作者: 来源:新世纪LED网 浏览量: 网友评论: 0

摘要: 在刚刚落幕的第19届广州国际照明展览会上,晶能光电硅衬底GaN基大功率LED芯片荣膺“阿拉丁神灯奖”十大产品奖,是目前为止国内唯一获奖的LED芯片产品。

  在刚刚落幕的第19届广州国际照明展览会上,晶能光电硅衬底GaN基大功率LED芯片荣膺“阿拉丁神灯奖”十大产品奖,是目前为止国内唯一获奖的LED芯片产品。

  硅衬底GaN基大功率LED芯片是全球唯一一款用GaN-on-Silicon技术设计的垂直结构大功率LED芯片产品,创新性地采用硅代替传统的蓝宝石和碳化硅作为生长衬底,从源头上避开了国外大厂的专利壁垒。同时,由于运用了“通孔Via”技术,消除了一般垂直结构LED芯片容易存在的电流拥堵现象,因此可以缓解Droop效应,同时克服传统垂直结构芯片中量子阱发光向芯片外部的发光受到N电极阻挡的痼疾,提高光效。目前,硅衬底GaN基大功率LED芯片封装后光效可达150lm/W,可广泛用于LED路灯、LED隧道灯、LED手机闪光灯、LED筒灯、射灯、Par灯、矿灯、头灯、高端手电等领域。

  阿拉丁神灯奖是一场国际化的评选,旨在对年度全球照明产业绿色、节能、新技术的创新产品,光技术与艺术完美结合的杰出工程作品,以及为照明产业的发展孜孜以求的卓越人士予以嘉奖。此次硅衬底GaN基大功率LED芯片摘得LED行业最高荣誉的阿拉丁神灯奖,是业内对硅衬底GaN基LED技术的高度肯定,更是对硅衬底GaN基LED芯片“中国芯”怀揣“中国梦”呈现“中国照明”的最高褒奖。

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