普瑞东芝共同研发出行业顶级8英寸硅基氮化镓LED芯片
摘要： 该芯片仅1.1毫米，在电压低于3.1V电流350mA时发射功率达 614mW。面对全球液晶面板和照明系统对LED芯片日益增长的需求，普瑞光电与东芝公司将进一步加快在这一领域的研发步伐。
领先的LED照明技术及解决方案开发商和制造商普瑞光电公司与世界领先的半导体制造商东芝公司今日宣布，在年初两家公司达成合作协议短短几个月后，两家公司共同研发出了行业顶级8英寸硅基氮化镓LED芯片。该芯片仅1.1毫米，在电压低于3.1V电流350mA时发射功率达 614mW。面对全球液晶面板和照明系统对LED芯片日益增长的需求，普瑞光电与东芝公司将进一步加快在这一领域的研发步伐。
东芝公司注资普瑞光电，旨在共同开发固态照明(SSL)领域的创新技术。这项投资将进一步推进两家公司在SSL行业的前进脚步，借助东芝公司的先进硅工艺和制造技术优势，大幅提高普瑞光电公司硅基氮化镓LED芯片技术的发展。
“东芝公司和普瑞光电早已在这项技术研发方面展开合作，此次注资使两家公司建立为更具有战略性的合作伙伴关系，将推动我们实现降低普通照明市场固态解决方案成本的共同目标。” 普瑞光电公司首席执行官Bill Watkins 表示。
“我们很高兴通过我们与普瑞光电公司的研发合作获得了前所未有的8英寸硅基氮化镓LED性能。我们将继续进行更先进的开发，并加速把我们的技术商品化。”东芝公司半导体和存储产品公司副总裁兼执行副总裁Makoto Hideshima表示。
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