晶能光电成功研制硅衬底高功率InGaN LED
摘要： 据了解，晶能光电长期致力于研制GaN-on-Si MOCVD生长技术，该公司总部坐落于江西南昌，本次演示的是一款冷白光LED，在350mA电流下光输出超过100流明，采用1x1mm芯片。
长期潜心研究硅衬底LED的江西晶能光电日前演示了基于硅衬底的高功率InGaN LED，据说性能接近于采用传统衬底生长的LED。
据了解，晶能光电长期致力于研制GaN-on-Si MOCVD生长技术，该公司总部坐落于江西南昌，本次演示的是一款冷白光LED，在350mA电流下光输出超过100流明，采用1x1mm芯片。
目前绝大多数LED的生产是在一个蓝宝石或碳化硅衬底上沉淀多层GaN薄膜，而晶能认为，基于硅衬底生长的LED在成本节约和控制上将发挥更大潜力，并且性能丝毫不亚于传统工艺制作的LED。
晶能光电目前已经获得来自美国，台湾和新加坡多家风险投资基金提供的5000多万美元的投资，包括Mayfield, GSR Ventures, Asiavest以及Tomasek。该公司目前用于显示领域的小尺寸管芯(200-micron)已经进入量产阶段。
最新的1x1mm 芯片研发成果将在第八届国际氮化物半导体会议上公布，本次会议将于2009年10月18日-23日在韩国济州岛举行。
结果描述了一种生长于硅衬底(111)的高功率、倒装焊(Flip-Chip)、立式精密注塑(Vertical Injection)薄膜蓝光和白光InGaN/GaN LED，尽管该公司也宣布开始采用6英寸晶园，不过本次却采用2英寸衬底。
(编辑:FJ)
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