Cree宣布推出100mm零微管SiC衬底商品
2007-10-16
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来源：中国半导体照明网译
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摘要： 2007年10月15日，Cree宣布推出零微管(ZMPTM)100mm(4英寸)、n型SiC衬底，凭借这一成果，Cree加强了其在全球SiC基半导体材料市场领先制造商的地位。SiC可用于生产范围很广的电力、光及通信元件，其中包括电源切换、LED和无线通信用RF(射频)功率晶体管。
2007年10月15日，Cree宣布推出零微管(ZMPTM)100mm(4英寸)、n型SiC衬底，凭借这一成果，Cree加强了其在全球SiC基半导体材料市场领先制造商的地位。SiC可用于生产范围很广的电力、光及通信元件，其中包括电源切换、LED和无线通信用RF(射频)功率晶体管。
微管是SiC中的晶体缺陷，目前商业衬底卖主供应的所有的SiC晶片几乎都存在这一问题。微管不仅会减少每一晶片可出产的电子器件个数，还会对每一电子器件的性能造成负面影响。而Cree通过之前的研发(获得美国陆军和国防先进研究计划总署的部分支持)，已大大降低了该缺陷密度。
Cree称向100mm ZMP衬底技术的转换是行业大范围选择SiC作为大功率开关元件材料的重要一步，Cree其他产品组与这一技术的整合预计会加速市场采用SiC作为大批量、生产就绪(production-ready)材料平台的速度。(编辑：PCL）
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